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元件参数资料
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参数目录34318
> 2DB1188R-13 TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3
型号:
2DB1188R-13
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
2DB1188R-13 PDF
其它图纸
SOT-89 Package Top
SOT-89 Package Side 1
SOT-89 Package Side 2
标准包装
2,500
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
32V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
800mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
180 @ 500mA,3V
功率 - 最大
1W
频率 - 转换
120MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-243AA
供应商设备封装
SOT-89-3
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1576 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
2DB1188RDITR
查看2DB1188R-13代理商
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